[实用新型]一种具有同层双量子阱结构的电吸收激光器有效
| 申请号： | 201720678138.6 | 申请日： | 2017-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN206820250U | 公开（公告）日： | 2017-12-29 |
| 发明（设计）人： | 卫思逸;李马惠;潘彦廷;刘拓;陈发涛;冯旭超;赵小亮;杨旗;韦盼;孙娟娟 | 申请（专利权）人： | 陕西源杰半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 712000 陕西省西安市西咸新区沣西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 量子 结构 吸收 激光器 | ||
1.一种具有同层双量子阱结构的电吸收激光器，其特征在于，包括衬底(1)和设置在衬底(1)底面的N面电极层(11)，衬底(1)上从下至上依次设置有量子阱膜层(2)、蚀刻阻挡层(4)、载体终止层(7)和接触层(8)；其中，蚀刻阻挡层(4)、载体终止层(7)和接触层(8)通过中段位置刻蚀的隔离区分为左右不连的两部分，蚀刻阻挡层(4)、载体终止层(7)和接触层(8)的断面处、接触层(8)的顶面处以及隔离区的底面处均覆盖有绝缘层(9)；量子阱膜层(2)包括处于同层的第一量子阱(21)和第二量子阱(22)；绝缘层(9)上设置有通过隔离区分开的两P面电极层(10)。
2.根据权利要求1所述的一种具有同层双量子阱结构的电吸收激光器，其特征在于，第一量子阱(21)和第二量子阱(22)的厚度相同。
3.根据权利要求1所述的一种具有同层双量子阱结构的电吸收激光器，其特征在于，第一量子阱(21)和第二量子阱(22)的厚度为10～100nm。
4.根据权利要求1所述的一种具有同层双量子阱结构的电吸收激光器，其特征在于，第一量子阱(21)为本征型InGaAsP材料量子阱，第二量子阱(22)为空穴掺杂型InGaAsP材料量子阱。
5.根据权利要求1所述的一种具有同层双量子阱结构的电吸收激光器，其特征在于，第一量子阱(21)和第二量子阱(22)为一体结构成型，第一量子阱(21)部分区域热扩散进入P+形成第二量子阱(22)。
6.根据权利要求1所述的一种具有同层双量子阱结构的电吸收激光器，其特征在于，第一量子阱(21)为1550nm或1310nm禁带宽度的本征型InGaAsP材料量子阱，第二量子阱(22)为1580nm或1350nm禁带宽度的空穴掺杂型InGaAsP材料量子阱。
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