[实用新型]一种VCSOA‑PIN集成光探测器

摘要

本实用新型公开了一种新型的VCSOA‑PIN集成光探测器，为垂直腔半导体光放大器与PIN光电二极管在垂直方向上单片集成的光探测器，其自下而上包括底部电极、PIN部分、台下电极区、VCSOA部分和台上电极区，所述底部电极、台上电极区和台下电极区为所述VCSOA部分和所述PIN部分提供偏置；具有体积小、工艺简单、成本较低、适合大规模生产的优点，其理想设计仿真效果证实其增益带宽积最大可以达到490GHz，而现有垂直入射型的APD只有350GHz左右。

主权项

一种光探测器，其特征在于，所述光探测器为垂直腔半导体光放大器与PIN光电二极管在垂直方向上单片集成的光探测器，其自下而上包括底部电极(1)、PIN部分、台下电极区、VCSOA部分和台上电极区，所述底部电极(1)、台上电极区和台下电极区为所述VCSOA部分和所述PIN部分提供偏置；所述PIN部分自下而上包括：N型InP衬底(2)、N型InP材料的缓冲层(3)、不掺杂的InGaAs吸收层(4)、P型掺杂InP层(5)以及P型掺杂InGaAsP层(6)，所述PIN部分各层横截面积相等；所述VCSOA部分自下而上包括：VCSOA部分与PIN部分之间的过渡层(8)、底部DBR反射镜(9)、有源区(10)、AlAs氧化层(11)、顶部DBR反射镜(12)以及N型掺杂InGaAs层(13)；所述VCSOA部分各层横截面积相等。