[实用新型]一种VCSOA‑PIN集成光探测器

权利要求书

1.一种光探测器，其特征在于，所述光探测器为垂直腔半导体光放大器与PIN光电二极管在垂直方向上单片集成的光探测器，其自下而上包括底部电极(1)、PIN部分、台下电极区、VCSOA部分和台上电极区，所述底部电极(1)、台上电极区和台下电极区为所述VCSOA部分和所述PIN部分提供偏置；

所述PIN部分自下而上包括：N型InP衬底(2)、N型InP材料的缓冲层(3)、不掺杂的InGaAs吸收层(4)、P型掺杂InP层(5)以及P型掺杂InGaAsP层(6)，所述PIN部分各层横截面积相等；

所述VCSOA部分自下而上包括：VCSOA部分与PIN部分之间的过渡层(8)、底部DBR反射镜(9)、有源区(10)、AlAs氧化层(11)、顶部DBR反射镜(12)以及N型掺杂InGaAs层(13)；所述VCSOA部分各层横截面积相等。

2.如权利要求1所述的光探测器，其特征在于，所述台上电极区包括台上电极(14)和与之相连接的台上电极打线台(18)，所述台上电极(14)为环形，其内环为与光纤耦合的透光孔(17)，所述台上电极(14)的内环直径与单模光纤纤芯直径相同。

3.如权利要求1所述的光探测器，其特征在于，所述台下电极区包括台下电极(7)和与之相连接的台下电极打线台(19)。

4.如权利要求1所述的光探测器，其特征在于，所述底部DBR反射镜(9)和有源区(10)之间设置有不掺杂的InP层(15)，所述有源区(10)和AlAs氧化层(11)之间设置有N型掺杂InP层(16)。

5.如权利要求2所述的光探测器，其特征在于，所述VCSOA部分的外侧边缘与台上电极(14)外侧边缘形成第一圆环区(20)，组成该圆环的两个圆形的半径之差为2～3微米。

6.如权利要求3所述的光探测器，其特征在于，所述VCSOA部分的外侧边缘与台下电极(7)内侧边缘形成第二圆环区(21)，组成该圆环的两个圆形的半径之差为3～5微米。