[实用新型]一种硅基探测器有效
| 申请号： | 201720586871.5 | 申请日： | 2017-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN206742258U | 公开（公告）日： | 2017-12-12 |
| 发明（设计）人： | 尹顺政;赵润;安文 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L31/101 | 分类号： | H01L31/101;H01L31/0232 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种硅基探测器,涉及光探测器技术领域;包括衬底、欧姆接触层和吸收层；吸收层在欧姆接触层上并形成一级凸形台面，欧姆接触层在衬底上并形成二级凸形台面；吸收层上设有欧姆接触部；欧姆接触部和一级凸形台面上都设有欧姆接触电极；衬底、欧姆接触层和吸收层所形成的台面结构上有增透膜；衬底上设有与欧姆接触电极相连的压焊点；衬底背面设有光反射部，衬底背面设有反射膜;探测器响应范围覆盖紫外至近红外波段，并在紫外和近红外这两个波段响应增强，且探测器性能得到优化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 探测器 | ||
【主权项】：
一种硅基探测器，其特征在于：包括衬底（1）、欧姆接触层（2）和吸收层（3）；所述吸收层（3）在欧姆接触层（2）上并形成一级凸形台面（4），欧姆接触层（2）在衬底（1）上并形成二级凸形台面（5）；所述吸收层（3）上设有欧姆接触部；所述欧姆接触部和一级凸形台面（4）上都设有欧姆接触电极（6）；所述衬底（1）、欧姆接触层（2）和吸收层（3）所形成的台面结构上有增透膜（10）；所述衬底（1）上设有与欧姆接触电极（6）相连的压焊点（7）；所述衬底（1）背面设有光反射部（8）。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
