[实用新型]一种硅基探测器

权利要求书

1.一种硅基探测器，其特征在于：包括衬底（1）、欧姆接触层（2）和吸收层（3）；所述吸收层（3）在欧姆接触层（2）上并形成一级凸形台面（4），欧姆接触层（2）在衬底（1）上并形成二级凸形台面（5）；所述吸收层（3）上设有欧姆接触部；所述欧姆接触部和一级凸形台面（4）上都设有欧姆接触电极（6）；所述衬底（1）、欧姆接触层（2）和吸收层（3）所形成的台面结构上有增透膜（10）；所述衬底（1）上设有与欧姆接触电极（6）相连的压焊点（7）；所述衬底（1）背面设有光反射部（8）。

2.根据权利要求1所述的一种硅基探测器，其特征在于所述衬底（1）背面设有反射膜。

3.根据权利要求1所述的一种硅基探测器，其特征在于所述衬底（1）为绝缘或半绝缘衬底，欧姆接触层（2）为高掺杂N型硅欧姆接触层,吸收层（3）为非掺杂硅本征吸收层。

4.根据权利要求3所述的一种硅基探测器，其特征在于所述 N型硅欧姆接触层掺杂浓度要大于5×10¹⁸cm^-3，厚度大于2um。

5.根据权利要求3所述的一种硅基探测器，其特征在于所述非掺杂本征硅吸收层掺杂浓度小于2×10¹⁴cm^-3，厚度大于300um。

6.根据权利要求1所述的一种硅基探测器，其特征在于所述欧姆接触部为环形欧姆接触环，且为重掺杂P型欧姆接触环（9）。

7.根据权利要求1所述的一种硅基探测器，其特征在于所述增透膜（10）和反射膜为氮化硅和二氧化硅形成的双层介质。

8.根据权利要求1所述的一种硅基探测器，其特征在于所述欧姆接触电极（6）包括P型欧姆接触电极（11）和N型硅欧姆接触电极（12），在欧姆接触部上的为P型欧姆接触电极（11），在一级凸形台面（4）上的是N型硅欧姆接触电极（12）。