[实用新型]一种太赫兹探测器有效
| 申请号： | 201720543163.3 | 申请日： | 2017-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN206725102U | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 张鹏;董杰;龚侃;韩顺利;曹乾涛 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 |
| 主分类号： | G01J5/34 | 分类号： | G01J5/34 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司37221 | 代理人： | 赵妍 |
| 地址： | 266555 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种太赫兹探测器，从底层向上依次包括下电极、下粘结层、热释电材料、上粘结层、上电极及吸收层；上粘结层与下粘结层为TiW薄膜，采用磁控溅射技术把TiW均匀溅射到热释电材料的上、下表面；热释电材料的厚度为20μm～50μm；吸收层为碳纳米管浆料。上粘结层与下粘结层厚度均为40nm。上电极与下电极为Au，采用磁控溅射技术把Au均匀溅射到上粘结层的表面与下粘结层的表面。本实用新型对太赫兹脉冲激光具有较高的吸收率、热释电材料具有较大的电容，提高了太赫兹探测器的响应率。TiW具有较高的导电率和较好的附着力，不仅可以提高Au与热释电材料之间的附着力，而且可以把热释电材料产生的电荷很好的传输到Au薄膜层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 赫兹 探测器 | ||
【主权项】：
一种太赫兹探测器，其特征是，从底层向上依次包括下电极、下粘结层、热释电材料、上粘结层、上电极及吸收层；所述上粘结层与下粘结层为TiW薄膜，采用磁控溅射技术把TiW均匀溅射到热释电材料的上、下表面；所述热释电材料的厚度为20μm～50μm；所述吸收层为碳纳米管浆料。
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