[实用新型]一种太赫兹探测器

说明书

技术领域

本实用新型涉及探测器技术领域，尤其涉及一种太赫兹探测器。

背景技术

目前，可以在宽波长范围测试脉冲激光的峰值功率或能量的探测器主要是热释电探测器。现有的热释电探测器主要工作在可见光、红外波段，并且具有较好的性能。由于太赫兹特有的性质，现有的热释电探测器在太赫兹波段具有较低的响应率，降低了微弱太赫兹脉冲激光峰值功率或能量的测试能力。

实用新型内容

本实用新型的目的就是为了解决上述问题，提供了一种太赫兹探测器，提高了热释电探测器在太赫兹波段的响应率。

为了实现上述目的，本实用新型采用如下技术方案：

一种太赫兹探测器，从底层向上依次包括下电极、下粘结层、热释电材料、上粘结层、上电极及吸收层；所述上粘结层与下粘结层为TiW薄膜，采用磁控溅射技术把TiW均匀溅射到热释电材料的上、下表面；所述热释电材料的厚度为20μm～50μm，从而使热释电材料具有较大的电容；所述吸收层为碳纳米管浆料。

所述热释电材料采用钽酸锂晶体、铌酸锂晶体或PZT晶片制作。

所述上粘结层与下粘结层厚度均为40nm。

所述上电极与下电极为Au，采用磁控溅射技术把Au分别均匀溅射到上粘结层的表面与下粘结层的表面。

所述上电极与下电极厚度均为50nm。

所述碳纳米管浆料的厚度为50nm，采用丝网印刷技术或喷涂技术把碳纳米管浆料均匀涂覆在上电极的表面。碳纳米管浆料对太赫兹激光具有较高的吸收率，从而提高了热释电探测器对太赫兹脉冲激光的吸收率。

本实用新型的有益效果是：

本实用新型的太赫兹探测器对太赫兹脉冲激光具有较高的吸收率、热释电材料具有较大的电容，从而提高了太赫兹探测器的响应率。

TiW具有较高的导电率和较好的附着力，不仅可以提高Au与热释电材料之间的附着力，而且可以把热释电材料产生的电荷很好的传输到Au薄膜层。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

其中，1下电极、2下粘结层、3热释电材料、4上粘结层、5上电极、6吸收层。

具体实施方式：

下面结合附图与实施例对本实用新型做进一步说明：

如图1所示，一种在太赫兹波段具有较高响应率的太赫兹探测器。技术方案如下：

本实用新型的太赫兹探测器的结构主要包括下电极1、下粘结层2、热释电材料3、上粘结层4、上电极5、吸收层6。

所述热释电材料可以采用钽酸锂晶体或铌酸锂晶体或PZT晶片制作，厚度是20μm～50μm，从而使热释电材料具有较大的电容。

所述上粘结层与下粘结层为TiW薄膜，采用磁控溅射技术把TiW均匀溅射到热释电材料的上、下表面，厚度均为40nm；

所述上电极与下电极为Au，采用磁控溅射技术把Au分别均匀溅射到上粘结层的表面与下粘结层的表面，厚度均为50nm；

TiW具有较高的导电率和较好的附着力，不仅可以提高Au与热释电材料之间的附着力，而且可以把热释电材料产生的电荷很好的传输到Au薄膜层。

所述吸收层为碳纳米管浆料，采用丝网印刷技术或喷涂技术把碳纳米管浆料均匀涂覆在上电极的表面，厚度为50nm；碳纳米管浆料对太赫兹激光具有较高的吸收率，从而提高了热释电探测器对太赫兹脉冲激光的吸收率。

上述虽然结合附图对本实用新型的具体实施方式进行了描述，但并非对本实用新型保护范围的限制，所属领域技术人员应该明白，在本实用新型的技术方案的基础上，本领域技术人员不需要付出创造性劳动即可做出的各种修改或变形仍在本实用新型的保护范围以内。