[实用新型]一种太赫兹探测器有效
| 申请号： | 201720543163.3 | 申请日： | 2017-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN206725102U | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 张鹏;董杰;龚侃;韩顺利;曹乾涛 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 |
| 主分类号： | G01J5/34 | 分类号： | G01J5/34 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司37221 | 代理人： | 赵妍 |
| 地址： | 266555 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 赫兹 探测器 | ||
【权利要求书】：
1.一种太赫兹探测器，其特征是，从底层向上依次包括下电极、下粘结层、热释电材料、上粘结层、上电极及吸收层；所述上粘结层与下粘结层为TiW薄膜，采用磁控溅射技术把TiW均匀溅射到热释电材料的上、下表面；所述热释电材料的厚度为20μm～50μm；所述吸收层为碳纳米管浆料。
2.如权利要求1所述的一种太赫兹探测器，其特征是，所述热释电材料采用钽酸锂晶体、铌酸锂晶体或PZT晶片制作。
3.如权利要求1所述的一种太赫兹探测器，其特征是，所述上粘结层与下粘结层厚度均为40nm。
4.如权利要求1所述的一种太赫兹探测器，其特征是，所述上电极与下电极为Au，采用磁控溅射技术把Au分别均匀溅射到上粘结层的表面与下粘结层的表面。
5.如权利要求1所述的一种太赫兹探测器，其特征是，所述上电极与下电极厚度均为50nm。
6.如权利要求1所述的一种太赫兹探测器，其特征是，所述碳纳米管浆料的厚度为50nm，采用丝网印刷技术或喷涂技术把碳纳米管浆料均匀涂覆在上电极的表面。
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