[实用新型]低温低损伤膜层沉积系统有效
| 申请号： | 201720452553.X | 申请日： | 2017-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN206956142U | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | 王开安;克雷格·马里恩;艾凡·贝拉斯克斯;黄仲漩;丁坤宝;孙静茹 | 申请（专利权）人： | 奥昱新材料技术（嘉兴）有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司33200 | 代理人： | 林松海 |
| 地址： | 314006 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种低温低损伤膜层沉积系统。主要包括优化的磁控溅射沉积源，所述磁控溅射沉积源包括支撑框架、溅射靶材、磁体、壳体单元。支撑框架包括朝向窗口的内表面，和与内表面相对的外表面，用于限定一个窗口以及窗口周围闭合回路；溅射靶材为一个或者多个，安装在所述支撑框架内表面，所述溅射靶材包括一个或多个溅射表面，构成了所述窗口的内壁，所述溅射靶材用来从所述溅射表面提供溅射材料；所述的磁体为一个或多个，安装在支撑框架外表面。本实用新型使得所公开的沉积系统可以在较低的工艺温度下运行，且可以最小化或消除薄膜沉积过程中器件内或器件界面所产生的电子缺陷，同时能够提供更高的等离子体密度。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 损伤 沉积 系统 | ||
【主权项】：
一种低温低损伤膜层沉积系统，其特征在于，主要包括优化的磁控溅射沉积源，所述磁控溅射沉积源包括支撑框架、溅射靶材、磁体、壳体单元；所述支撑框架包括朝向窗口的内表面和与内表面相对的外表面，用于限定一个窗口以及窗口周围闭合回路；所述溅射靶材为一个或者多个，安装在所述支撑框架内表面，所述溅射靶材包括一个或多个溅射表面，构成了所述窗口的内壁，所述溅射靶材用来从所述溅射表面提供溅射材料；所述的磁体为一个或多个，安装在支撑框架外表面；所述的壳体单元用来容纳所述支撑框架，磁体，以及溅射靶材。
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