[实用新型]低温低损伤膜层沉积系统

权利要求书

1.一种低温低损伤膜层沉积系统，其特征在于，主要包括优化的磁控溅射沉积源，所述磁控溅射沉积源包括支撑框架、溅射靶材、磁体、壳体单元；

所述支撑框架包括朝向窗口的内表面和与内表面相对的外表面，用于限定一个窗口以及窗口周围闭合回路；

所述溅射靶材为一个或者多个，安装在所述支撑框架内表面，所述溅射靶材包括一个或多个溅射表面，构成了所述窗口的内壁，所述溅射靶材用来从所述溅射表面提供溅射材料；

所述的磁体为一个或多个，安装在支撑框架外表面；

所述的壳体单元用来容纳所述支撑框架，磁体，以及溅射靶材。

2.如权利要求1所述的低温低损伤膜层沉积系统，其特征在于，所述支撑框架，进一步包括沿其外表面的多个肋条，所述肋条与肋条之间限定了一个或多个冷却水通道，所述冷却水通道用来流通冷却剂以带走所述支撑框架和所述溅射靶材的热量。

3.如权利要求2所述的低温低损伤膜层沉积系统，其特征在于，所述磁体固定在所述肋条上，所述磁体包括多个平行的沿所述支撑框架外表面的封闭环形回路。

4.如权利要求1所述的低温低损伤膜层沉积系统，其特征在于，所述溅射材料被沉积到第一衬底的沉积表面，其中所述沉积表面朝向并基本垂直于所述支撑框架构成的窗口，沉积系统还可进一步包括传动机构用来在所述第一衬底和所述磁控溅射沉积源之间产生相对运动。

5.如权利要求4所述的低温低损伤膜层沉积系统，其特征在于，进一步包括第二衬底相对于所述支撑框架位于与所述第一衬底相反的一侧，所述第二衬底包括朝向所述支撑框架构成的所述窗口的第二沉积表面，所述第二沉积表面用来接受从所述溅射靶材溅射出来的溅射材料，所述第二沉积表面可基本垂直于所述溅射表面。

6.如权利要求1所述的低温低损伤膜层沉积系统，其特征在于，进一步包括一个真空工艺腔室用来容纳磁控溅射沉积源和衬底。

7.如权利要求4所述的低温低损伤膜层沉积系统，其特征在于，所述第一衬底是预制的有机发光二极管器件、金属氧化物、薄膜晶体管、透明导电氧化物层，或射频识别器件中的至少一种，所述溅射材料可在第一衬底上封装一个或多个预制的电子器件。