[实用新型]集成电路和电子装置有效
| 申请号： | 201720239780.4 | 申请日： | 2017-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN207529977U | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | P·波伊文;J-J·法戈特 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(鲁塞)公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张昊 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本公开涉及集成电路和电子装置。一种具有两个竖直栅极的MOS晶体管(TS)包括：具有第一导电类型的半导体衬底区域(ZS)，该半导体衬底区域通过在第一方向(X)上延伸的两个第一平行沟槽(GT1，GT2)与该衬底(SUB)的其余部分分隔开；隔离栅极区(G12，G21)，该隔离栅极区位于该衬底区域(ZS)的每个侧面上以及在该相应沟槽的底部的一部分上并且形成这两个竖直栅极；至少一个栅极连接区，该至少一个栅极连接区电连接这两个竖直栅极(G12，G21)；第一掩埋区(CTR)，该第一掩埋区位于具有第二导电类型的该衬底区域(ZS)下方并且形成该晶体管的第一导电电极；以及具有该第二导电类型的第二区(DP)，该第二区位于该衬底区域(ZS)的表面附近并且形成该晶体管(TS)的第二导电电极。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底区域 竖直 导电电极 导电类型 电子装置 隔离栅极 栅极连接 掩埋区 晶体管 集成电路 半导体 第一导电类型 平行沟槽 电连接 衬底 分隔 侧面 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路，其特征在于，所述集成电路包括：至少一个具有两个竖直栅极的MOS晶体管(TSi,j)，所述MOS晶体管包括：具有第一导电类型的半导体衬底区域(ZS)，所述半导体衬底区域通过在第一方向(X)上延伸的两个第一平行沟槽(GT1，GT2)与半导体衬底(SUB)的其余部分分隔开；隔离栅极区(G12，G21)，所述隔离栅极区位于所述衬底区域(ZS)的每个侧面上以及在所述相应沟槽(GT1，GT2)的底部的一部分上并且形成所述两个竖直栅极；至少一个栅极连接区(GC1，GC2)，所述至少一个栅极连接区电连接所述两个竖直栅极(G12，G21)；第一掩埋区(CTR)，所述第一掩埋区位于具有第二导电类型的所述衬底区域(ZS)下方并且形成所述晶体管的第一导电电极；以及具有所述第二导电类型的第二区(DP)，所述第二区位于所述衬底区域(ZS)的表面附近并且形成所述晶体管(TSi,j)的第二导电电极。
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