[实用新型]集成电路和电子装置

权利要求书

1.一种集成电路，其特征在于，所述集成电路包括：至少一个具有两个竖直栅极的MOS晶体管(TS_i,j)，所述MOS晶体管包括：具有第一导电类型的半导体衬底区域(ZS)，所述半导体衬底区域通过在第一方向(X)上延伸的两个第一平行沟槽(GT1，GT2)与半导体衬底(SUB)的其余部分分隔开；隔离栅极区(G12，G21)，所述隔离栅极区位于所述衬底区域(ZS)的每个侧面上以及在所述相应沟槽(GT1，GT2)的底部的一部分上并且形成所述两个竖直栅极；至少一个栅极连接区(GC1，GC2)，所述至少一个栅极连接区电连接所述两个竖直栅极(G12，G21)；第一掩埋区(CTR)，所述第一掩埋区位于具有第二导电类型的所述衬底区域(ZS)下方并且形成所述晶体管的第一导电电极；以及具有所述第二导电类型的第二区(DP)，所述第二区位于所述衬底区域(ZS)的表面附近并且形成所述晶体管(TS_i,j)的第二导电电极。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，在垂直于所述第一方向(X)的第二方向(Y)上所测量的所述沟槽的所述底部的所述一部分的大小小于在所述第二方向(Y)上所测量的所述沟槽的所述底部的大小的一半。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述两个第一沟槽(GT1，GT2)的宽度大于其深度。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述至少一个栅极连接区(GC1，GC2)包括深度大于宽度的第二沟槽(GCT1，GCT2)，并且所述第二沟槽在垂直于所述第一方向(X)的第二方向(Y)上延伸。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，包括安排在形成于所述半导体衬底(SUB)之中和之上的存储器平面中的矩阵中的存储器点，所述矩阵的行在所述第一方向(X)上延伸且所述矩阵的列在垂直于所述第一方向(X)的第二方向(Y)上延伸，每个存储器点包括叠加在具有两个竖直栅极的MOS晶体管上方的存储器单元(CEL_i,j)，所述MOS晶体管形成选择晶体管(TS_i,j)。

6.根据权利要求5所述的集成电路，其特征在于，位于面向属于同一列且属于相邻行的两个选择晶体管(TS_i,j，TS_i+1,j)的所述对应衬底区域(ZS)的所述侧面上的所述隔离栅极区(G12，G21)位于同一个第一沟槽中并且在此第一沟槽的底部彼此远离。

7.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，电连接所述两个竖直栅极(G1_i，G2_i)的栅极连接区(GC1_i)位于属于同一行的一组晶体管的任一侧上。

8.根据权利要求5所述的集成电路，其特征在于，包括将属于同一组的所述选择晶体管的所述第二区(DP)分隔开的浅沟槽隔离(STI)。

9.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，包括在所述第一方向(X)上延伸的字线(WL_i)，并且所述字线通过竖直过孔(WLV_i)电连接至所述栅极连接区。

10.根据权利要求5所述的集成电路，其特征在于，所述存储器单元(CEL_i,j)是电阻式存储器单元。

11.一种如个人计算机、移动电话、或汽车的车载计算机等的电子装置(APP)，其特征在于，所述电子装置包括根据权利要求1至10中任一项所述的集成电路(CI)。