[实用新型]一种防噪声保护环有效
| 申请号： | 201720194893.7 | 申请日： | 2017-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN206490065U | 公开（公告）日： | 2017-09-12 |
| 发明（设计）人： | 李露;袁永斌;宫海龙;廖宝斌 | 申请（专利权）人： | 贵州木弓贵芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海精晟知识产权代理有限公司31253 | 代理人： | 胡志强 |
| 地址： | 550000 贵州省贵阳市高新技术*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种防噪声保护环，包括P衬底、N阱、P阱合P衬底接触，所述N阱和P阱分别设置在所述P衬底上，所述N阱与电源VDD相连，所述P阱通过P衬底接触接地，所述P衬底与N阱构成PN结。本实用新型的优点和有益效果在于不仅能够同时抑制和消除衬底噪声连接到地消除；还可将寄生电容的噪声直接连接到地消除，避免寄生电容噪声穿过P衬底到达敏感模块的情况，实现了加强抑制和消除衬底噪声，并且无须增加芯片面积，降低了成本；同时还隔断了敏感模块之间的相互影响，并将寄生电容的噪声直接连接到地消除，实现了加强抑制和消除衬底噪声，避免敏感模块之间相互干扰的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 噪声 保护环 | ||
【主权项】：
一种防噪声保护环，其特征在于，包括P衬底、N阱、P阱和P衬底接触，所述N阱和P阱分别设置在所述P衬底上，所述N阱与电源VDD相连，所述P阱通过P衬底接触接地，所述P衬底与N阱构成反偏PN结。
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