[实用新型]一种深紫外LED芯片

摘要

一种深紫外LED芯片，包括基底衬底，所述基底衬底包括蓝宝石衬底、Si衬底或石英衬底；溅射形核层，所述溅射形核层设置在所述基底衬底上，为一层通过磁控溅射系统形成于所述基底衬底上的多晶AlN薄膜；AlN外延层，所述外延层形成于所述溅射形核层上，为一层通过MOCVD设备形成的单晶AlN薄膜。通过设置异质衬底来降低深紫外LED芯片的成本，同时通过在所述衬底上依次设置高质量AlN形核层和AlN外延层从而保证了在AlN模板化衬底上形成深紫外LED芯片其他功能层的质量，这样通过上述结构的改进使得该芯片生产和制造成本降低。

主权项

一种深紫外LED芯片，其特征在于，包括：基底衬底，所述基底衬底包括蓝宝石衬底、Si衬底或石英衬底；溅射形核层，所述溅射形核层设置在所述基底衬底上，为一层通过磁控溅射系统形成于所述基底衬底上的多晶AlN薄膜；AlN外延层，所述外延层形成于所述溅射形核层上，为一层通过MOCVD设备形成的单晶AlN薄膜；超晶格应力缓冲层，所述超晶格应力缓冲层设置在所述AlN外延层上；n‑AlGaN外延层，其设置在所述超晶格应力缓冲层上；多层量子阱，其设置在所述n‑AlGaN外延层上；电子阻挡层，其设置在所述多层量子阱上；以及p‑GaN外延层，其设置在所述电子阻挡层上。