[实用新型]一种宽禁带半导体器件有效
| 申请号： | 201720101148.3 | 申请日： | 2017-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN206490068U | 公开（公告）日： | 2017-09-12 |
| 发明（设计）人： | 张振中;孙军;和巍巍;汪之涵;颜剑 | 申请（专利权）人： | 深圳基本半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提出一种宽禁带半导体器件，所述宽禁带半导体器件包括肖特基部分，用于在正常电压状态下导通电流；PN结部分，用于在发生电流浪涌时与肖特基部分共同导通电流，所述PN结部分包括至少一个增加有效面积的结构，所述增加有效面积的结构用于在PN结表面面积不变的情况下，增大PN结的实际有效面积，从而使器件具有更高的浪涌电流能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 宽禁带 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种宽禁带半导体器件，包括肖特基部分，用于在正常电压状态下导通电流；PN结部分，用于在发生电流浪涌时与肖特基部分共同导通电流，其特征在于，所述PN结部分包括至少一个增加有效面积的结构，所述增加有效面积的结构用于在PN结表面面积不变的情况下，增大PN结的实际有效面积，从而使器件具有较大的PN结部分。
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