[实用新型]一种宽禁带半导体器件

权利要求书

1.一种宽禁带半导体器件，包括肖特基部分，用于在正常电压状态下导通电流；PN结部分，用于在发生电流浪涌时与肖特基部分共同导通电流，其特征在于，所述PN结部分包括至少一个增加有效面积的结构，所述增加有效面积的结构用于在PN结表面面积不变的情况下，增大PN结的实际有效面积，从而使器件具有较大的PN结部分。

2.根据权利要求1所述的宽禁带半导体器件，其特征在于，所述肖特基部分与PN结部分之间设置有绝缘介质层，用于形成阻挡层以避免二者接触。

3.根据权利要求1或2所述的宽禁带半导体器件，其特征在于，所述增加有效面积的结构包括形成于N型外延层中的沟槽，和通过对所述沟槽的底部和侧壁注入掺杂形成齿状P型掺杂区。

4.根据权利要求3所述的宽禁带半导体器件，其特征在于，所述PN结部分还包括：N型衬底层，其下表面形成有背面金属电极；N型外延层，结合于所述N型衬底层上表面；表面P型掺杂区，形成于所述N型外延层的表面；正面金属电极，填充于所述增加有效面积的结构内，以及形成于所述表面P型掺杂区的表面。

5.根据权利要求3所述的宽禁带半导体器件，其特征在于，所述肖特基部分包括：N型衬底层，其下表面形成有背面金属电极；N型外延层，结合于所述N型衬底层的上表面；肖特基金属电极，形成于所述N型外延层的表面。

6.根据权利要求3所述的宽禁带半导体器件，其特征在于，所述沟槽或齿状P型掺杂区的俯视图形状包括条形、圆形、椭圆形、矩形、三角形以及五边以上的多边形中的一种或组合。

7.根据权利要求3所述的宽禁带半导体器件，其特征在于，所述沟槽或齿状P型掺杂区的横截面形状包括矩形、三角形以及五边以上的多边形中的一种或组合。

8.根据权利要求2所述的宽禁带半导体器件，其特征在于，所述绝缘介质层为二氧化硅介质层，或者为包含二氧化硅和氮化硅的复合结构介质层。

9.根据权利要求4所述的宽禁带半导体器件，其特征在于，所述正面金属电极和/或背面金属电极中的金属包括镍、钛、铝中的一种或多种。

10.根据权利要求5所述的宽禁带半导体器件，其特征在于，所述肖特基金属电极为钛；或者镍；或者钛、镍的复合金属层。