[实用新型]一种SiC晶圆片金属电极退火炉用的新型石墨舟有效
| 申请号： | 201720039461.9 | 申请日： | 2017-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN206441712U | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | 李明山;倪炜江;张敬伟;牛喜平;徐妙玲 | 申请（专利权）人： | 北京世纪金光半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司11003 | 代理人： | 尹振启,张希宇 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种SiC晶圆片金属电极退火炉用的新型石墨舟，所述石墨舟为圆盘型，石墨舟的上层表面开设有三种尺寸的圆形凹槽，一号凹槽的半径为76mm、二号凹槽的半径为51mm、三号凹槽的半径为38mm，所述一号凹槽、所述二号凹槽和所述三号凹槽的槽底距离石墨舟上表面的深度依次增大；其中，一号凹槽和二号凹槽与石墨舟同轴设置，三个三号凹槽环绕石墨舟轴心线分布，三号凹槽的轴心线距离石墨舟轴心线44.5mm。该石墨舟能够满足目前常用的3英寸、4英寸、6英寸的SiC晶圆片快速退火，增加晶圆片的受热均匀性、优化腔体气流，有效保护背面金属不被氧化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 晶圆片 金属电极 退火炉 新型 石墨 | ||
【主权项】：
一种SiC晶圆片金属电极退火炉用的新型石墨舟，其特征在于，所述石墨舟为圆盘型，石墨舟的上层表面开设有三种尺寸的圆形凹槽，一号凹槽的半径为76mm、二号凹槽的半径为51mm、三号凹槽的半径为38mm，所述一号凹槽、所述二号凹槽和所述三号凹槽的槽底距离石墨舟上表面的深度依次增大；其中，一号凹槽和二号凹槽与石墨舟同轴设置，三个三号凹槽环绕石墨舟轴心线分布，三号凹槽的轴心线距离石墨舟轴心线44.5mm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
