[发明专利]一种提高碳化硅微粉精度的加工方法

摘要

本发明属于碳化硅微粉技术领域，具体涉及一种提高碳化硅微粉精度的加工方法，包括除硅制剂的制备以及除硅处理，所述除硅制剂由以下重量份的原料制成：氯化锂0.2‑0.8份、氧化铝3‑5份、碳化镁3‑5份、氟硼酸铵6‑10份、亚硒酸钠2‑3份。本发明相比现有技术具有以下优点：本发明中除硅制剂制备方法简单，配比合理，配合豆油溶液等处理，能够有效去除碳化硅中金属杂质、二氧化硅、游离碳和游离硅，加工方法简单，条件易控，能够有效提高硅微粉的精度和质量，碳化硅纯度达到99.5%以上，使所得硅微粉能够符合烧结料要求。

主权项

1.一种提高碳化硅微粉精度的加工方法，其特征在于，包括除硅制剂的制备以及除硅处理，所述除硅制剂由以下重量份的原料制成：氯化锂0.2‑0.8份、氧化铝3‑5份、碳化镁3‑5份、氟硼酸铵6‑10份、亚硒酸钠2‑3份；其处理方法为：将除硅制剂在质量浓度为12‑18%的乙醇溶液中超声分散，除硅制剂与乙醇溶液的质量比为1:300‑400，得到除硅制剂分散液；将除硅制剂分散液加热到80‑90℃后加入相当于乙醇溶液重量20‑40%的碳化硅原料，以转速为400‑600转/分钟搅拌1‑2小时，完成后降至常温，停止搅拌，静置4‑6小时，除去生成漂浮物后过滤沉淀，将所得沉淀与质量浓度为3‑5%的豆油溶液以重量比1:3‑5混合，升温至80℃后加入相当于豆油溶液质量2‑3%的氢氧化锂，继续升温至180‑200℃，保温搅拌30‑40分钟，完成后降至常温，停止搅拌，静置1‑2小时，除去生成漂浮物后过滤得到二次沉淀，将二次沉淀用流动水冲洗10‑20分钟后，在温度为220‑240℃的真空条件下处理1‑2小时，即得。