[发明专利]一种单面双T型左手材料在审
| 申请号： | 201711489376.3 | 申请日： | 2017-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN108199149A | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 金杰;何政蕊;杨竟松;李钰滢 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01Q15/00 | 分类号： | H01Q15/00 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 刘子文 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种单面双T型左手材料，包括由介质基板构成的单元结构，介质基板由介电常数为3～3.8、损耗正切值为0.0004的Rogers板材制成，所述介质基板的高度为3～3.7mm，宽度为1.3～2.0mm，厚度为0.5mm；所述介质基板的一侧镀有双T型结构的镀铜，T型结构中的横线长度为1～1.7mm；竖线长度为2～2.8mm，所述单元结构沿三维立体方向分别扩张延伸相互连接形成有双T型结构阵列，所述双T型结构阵列沿X轴的方向设置为理想磁边界条件PHC，沿Z轴方向设置为理想导体边界条件PEC，电磁波沿Y轴方向，从左向右入射至双T型结构内部，设置激励方式为波阻抗激励。该左手材料具有宽频带、低损耗、小单元、结构简单、易于制作等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 双T型结构 介质基板 左手材料 单元结构 方向设置 理想导体边界条件 边界条件 介电常数 三维立体 损耗正切 电磁波 横线 波阻抗 低损耗 宽频带 小单元 镀铜 入射 竖线 延伸 制作 | ||
【主权项】：
1.一种单面双T型左手材料，其特征在于，包括由介质基板构成的单元结构，介质基板由介电常数为3～3.8、损耗正切值为0.0004的Rogers板材制成，所述介质基板的高度为3～3.7mm，宽度为1.3～2.0mm，厚度为0.5mm；所述介质基板的一侧镀有双T型结构的镀铜，T型结构中的横线长度为1～1.7mm；竖线长度为2～2.8mm，所述单元结构沿三维立体方向分别扩张延伸相互连接形成有双T型结构阵列，所述双T型结构阵列沿X轴的方向设置为理想磁边界条件PHC，沿Z轴方向设置为理想导体边界条件PEC，电磁波沿Y轴方向，从左向右入射至双T型结构内部，设置激励方式为波阻抗激励。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学，未经天津大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711489376.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种口字型的二维左手材料
- 下一篇：一种强吸收性碳基吸波材料的制备方法
