[发明专利]一种CIGS太阳能电池中预制层的XRF检测方法在审

专利信息
申请号: 201711486712.9 申请日: 2017-12-30
公开(公告)号: CN108336180A 公开(公告)日: 2018-07-27
发明(设计)人: 彭寿;种雷;刘小雨;王宝玉;朱登华 申请(专利权)人: 凯盛光伏材料有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L21/66
代理公司: 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 代理人: 陈俊
地址: 233010 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开一种CIGS太阳能电池中预制层的XRF检测方法,包括以下步骤:S1、在衬底顶面生长氮化硅阻挡层;S2、在氮化硅阻挡层顶面溅镀金属背电极;S3、在金属背电极顶面与XRF检测区相对应的位置粘贴胶带,胶带为全反射胶带或全吸收胶带;S4、在金属背电极顶面制备铜铟镓预制层;S5、通过XRF设备对铜铟镓预制层的检测区进行成分检测;S6、检测完成后,去除胶带;粘贴胶带将铜铟镓预制层的检测区与金属背电极相隔离,进行XRF检测时,X射线能够被胶带全反射或者全吸收,不会进入金属背电极,从而避免金属背电极的元素成分对铜铟镓预制层的成分检测造成影响;无需激光去除背电极,工艺简单、成本低。
搜索关键词: 预制层 胶带 金属背电极 铜铟镓 检测区 氮化硅阻挡层 检测 成分检测 电极顶面 粘贴胶带 金属背 全反射 衬底顶面 激光去除 背电极 顶面 溅镀 去除 吸收 制备 隔离 生长
【主权项】:
1.一种CIGS太阳能电池中预制层的XRF检测方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、在衬底顶面生长氮化硅阻挡层;S2、在氮化硅阻挡层顶面溅镀金属背电极;S3、在金属背电极顶面与XRF检测区相对应的位置粘贴胶带,胶带为全反射胶带或全吸收胶带;S4、在金属背电极顶面制备铜铟镓预制层;S5、通过XRF设备对铜铟镓预制层的检测区进行成分检测;S6、检测完成后,去除胶带。
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