[发明专利]一种钽衬底上生长InxGa1-xN纳米线的光电极及其制备方法有效
| 申请号： | 201711485380.2 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108193230B | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | 胡艳玲;徐桂焰;柏天程;朱玉琴;黄家亮;纪华羽;杨豪斌 | 申请（专利权）人： | 厦门理工学院 |
| 主分类号： | C25B11/06 | 分类号： | C25B11/06;C25B1/04;B01J27/24;B01J37/02 |
| 代理公司： | 厦门智慧呈睿知识产权代理事务所(普通合伙) 35222 | 代理人： | 郭福利;魏思凡 |
| 地址： | 361024 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种钽衬底上生长InxGa1‑xN纳米线的光电极，包括Ta衬底、中间层和InxGa1‑xN纳米线层，其中，x＝0.05～0.5。中间层包括Ta氮化物，且构筑于所述Ta衬底与所述InxGa1‑xN纳米线层之间，与InxGa1‑xN纳米线层的能级匹配。通过阳极氧化法结合高温氨化法对钽片进行前处理，形成中间层，然后采用VLS‑CVD法，在处理后的钽片上生长InxGa1‑xN纳米线。本发明设计了Ta/(Ta2N/TaN/Ta3N5)/InxGa1‑xN纳米线结构的光电极，构筑了能级匹配的中间层，大幅度提高光催化分解水制氢和光催化降解水中有机污染物效率，且方法简单，在解决能源和环境问题方面有着重要的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 中间层 衬底 纳米线层 光电极 纳米线 能级 钽片 生长 匹配 光催化分解水 光催化降解 纳米线结构 阳极氧化法 有机污染物 环境问题 氨化法 氮化物 前处理 构筑 水中 制备 制氢 能源 应用 | ||
【主权项】：
1.一种钽衬底上生长InxGa1‑xN纳米线的光电极，其特征在于，包括Ta衬底、中间层和InxGa1‑xN纳米线层，其中，x＝0.05～0.5，所述中间层包括Ta氮化物，所述中间层构筑于所述Ta衬底与所述InxGa1‑xN纳米线层之间，且分别与所述Ta衬底和所述InxGa1‑xN纳米线层的能级匹配。
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