[发明专利]缺陷率预测模型的训练方法、装置及系统有效

专利信息
申请号: 201711478609.X 申请日: 2017-12-29
公开(公告)号: CN108108848B 公开(公告)日: 2019-08-13
发明(设计)人: 经晶;刘倩 申请(专利权)人: 英特尔产品(成都)有限公司;英特尔公司
主分类号: G06Q10/04 分类号: G06Q10/04;G06Q50/08
代理公司: 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 代理人: 钟胜光
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 本申请提供一种用于训练半导体芯片生产过程中的第一半导体芯片生产装置的缺陷率预测模型的方法,包括:采用逻辑回归模型来从第一半导体芯片生产装置的历史半导体芯片样本数据集中的样本数据的参数集中选择出一种或多种最适合预测参数;以及使用所选择出的一种或多种最适合预测参数的参数值来训练缺陷率预测模型,所述缺陷率预测模型用于预测位于第一半导体芯片生产装置下游的一个或多个第二半导体芯片生产装置所生产出的半导体芯片的缺陷率。利用该方法,可以训练出供在第一半导体芯片生产装置处使用的缺陷率预测模型,由此可以实现在预测出的缺陷率超过预定阈值时,及时对第一半导体芯片生产装置进行缺陷维护处理。
搜索关键词: 半导体芯片 缺陷率 生产装置 预测模型 样本数据 预测参数 逻辑回归模型 装置及系统 生产过程 阈值时 预测 申请 维护 生产
【主权项】:
1.一种用于改进半导体芯片的缺陷率的方法,包括:利用缺陷率预测模型来预测位于第一半导体芯片生产装置下游的一个或多个第二半导体芯片生产装置所生产出的半导体芯片的缺陷率是否超过预定阈值;以及在预测出所生产出的半导体芯片的缺陷率超过所述预定阈值时,对所述第一半导体芯片生产装置进行缺陷维护处理,其中,所述缺陷率预测模型是利用如下训练过程来训练的:采用逻辑回归模型来从所述第一半导体芯片生产装置的历史半导体芯片样本数据集中的样本数据的参数集中选择出一种或多种最适合预测参数;以及使用所述历史半导体芯片样本数据集中的样本数据的所选择出的一种或多种最适合预测参数的参数值来训练所述缺陷率预测模型,所述缺陷率预测模型用于预测位于所述第一半导体芯片生产装置下游的一个或多个第二半导体芯片生产装置所生产出的半导体芯片的缺陷率。
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