[发明专利]半导体器件结构及制备方法有效
| 申请号： | 201711474287.1 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109994603B | 公开（公告）日： | 2023-01-13 |
| 发明（设计）人： | 唐贤贤 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10N70/00 | 分类号： | H10N70/00;H10N39/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件结构及制备方法，制备方法包括提供一半导体基底，形成第一金属层；于第一金属层内形成第一沟槽，于第一沟槽内及周围沉积第一层间介质层；形成第一氢遮挡层；于第一氢遮挡层及第一层间介质层内形第一插塞；形成由下电极层、阻变氧化层及上电极层构成的且与第一插塞相连接的叠层结构；于叠层结构上形成连续的第二氢遮挡层，形成第二层间介质层。本发明通过第一氢遮挡层及第二氢遮挡层的设计，保护了下电极层、阻变氧化层及上电极层，防止阻变氧化层受环境及制程的影响，阻止了对器件的金属层及确保晶体管特性的退火工艺对阻变氧化层所造成的影响，全面有效的防止层间介质层中停留的氢离子在器件操作过程中进行扩散。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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