[发明专利]QFN封装体底部防镀处理方法在审
| 申请号： | 201711473328.5 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108364875A | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 徐华 | 申请（专利权）人： | 合肥通富微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 郭栋梁 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市经*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种QFN封装体底部防镀处理方法，包括以下步骤：提供第一载具，在第一载具表面形成粘胶层，粘胶层为双面粘胶层；在粘胶层上正装至少一个QFN封装体；在QFN封装体的表面形成金属薄膜；移除第一载具和设置在第一载具表面的粘胶层。本申请中采用粘胶层保护QFN封装体的底部方式，替代油墨喷涂的方式，有效提高产品的品质，避免油墨对人体健康造成的伤害，另外还缩短工序，减少设备投入，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 粘胶层 载具 表面形成金属 双面粘胶层 表面形成 减少设备 人体健康 油墨喷涂 移除 油墨 正装 薄膜 申请 伤害 替代 | ||
【主权项】：
1.一种QFN封装体底部防镀处理方法，其特征在于，包括以下步骤：提供第一载具，在所述第一载具表面形成粘胶层，所述粘胶层为双面粘胶层；在所述粘胶层上正装至少一个QFN封装体；在所述QFN封装体表面形成金属薄膜；移除所述第一载具和设置在所述第一载具表面的粘胶层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
