[发明专利]具有扩展的电气安全操作区的半导体器件有效
| 申请号： | 201711470953.4 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108269846B | 公开（公告）日： | 2023-09-08 |
| 发明（设计）人： | X·吴 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 徐东升;王爽 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有扩展的电气安全操作区的半导体器件。在至少一些实施例中，半导体器件包括形成在阱(112)内的源极区(110)。源极区包括第一掺杂剂类型，并且阱包括与第一掺杂剂类型相反的第二掺杂剂类型。终端区(118)形成在阱(112)内，终端区与源极区对准，并且具有与源极区的端部相邻并且与源极区的端部间隔开的端部。终端区包括具有第二掺杂剂类型的半导体材料。终端区中的掺杂剂的预选浓度值大于阱中第二掺杂剂类型的浓度值。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 扩展 电气 安全 操作 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：源极区，所述源极区形成在阱内，所述源极区包括第一掺杂剂类型，并且所述阱包括与所述第一掺杂剂类型相反的第二掺杂剂类型；以及终端区，所述终端区形成在所述阱内，所述终端区与所述源极区对准，并且具有与所述源极区的端部相邻且与所述源极区的端部间隔开的端部，所述终端区包括具有大于所述阱中所述第二掺杂剂类型的浓度值的预选浓度值的所述第二掺杂剂类型的半导体材料。
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