[发明专利]大面积CVD石墨烯掺杂转移方法有效

专利信息
申请号: 201711469892.X 申请日: 2017-12-29
公开(公告)号: CN108101027B 公开(公告)日: 2020-01-31
发明(设计)人: 马金鑫;姜浩;徐鑫 申请(专利权)人: 重庆墨希科技有限公司
主分类号: C01B32/182 分类号: C01B32/182;C01B32/184;C01B32/194
代理公司: 51232 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 代理人: 刘文娟
地址: 401329 重*** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 发明公开了一种够保证CVD石墨烯掺杂效果稳定同时避免转移破损的大面积CVD石墨烯掺杂转移方法。该方法包括步骤:S1、在催化衬底上生成CVD石墨烯层;S2、在CVD石墨烯层上形成掺杂挤吸收层;S3、在掺杂剂吸收层上形成转移支撑层;S4、分离催化衬底;S5、将S4中得到的CVD石墨烯层、掺杂剂吸收层、转移支撑层的复合结构旋转180°放置在目标基底;S6、将S5中得到的复合结构浸泡于掺杂水溶液中;S7、将S6中浸泡后的复合结构清洗烘干。采用该大面积CVD石墨烯掺杂转移方法,能够实现对石墨烯层高效且均匀稳定的掺杂;在转移过程中提供有效的支撑保护,避免石墨烯膜破损,保障大面积CVD石墨烯层的转移完整性。
搜索关键词: 掺杂 石墨烯层 石墨烯 复合结构 吸收层 掺杂剂 支撑层 衬底 催化 浸泡 破损 清洗烘干 石墨烯膜 效果稳定 支撑保护 目标基 保证
【主权项】:
1.大面积CVD石墨烯掺杂转移方法,其特征在于,包括以下步骤:/nS1.在催化衬底(101)上生成通过化学键链接的具有二维连续结构的CVD石墨烯层(201),得到催化衬底(101)、CVD石墨烯层(201)的复合结构;/nS2.在步骤S1所述CVD石墨烯层(201)上形成掺杂剂吸收层(301),得到催化衬底(101)、CVD石墨烯层(201)、掺杂剂吸收层(301)的复合结构;/nS3.在步骤S2所述掺杂剂吸收层(301)上形成转移支撑层(302),得到催化衬底(101)、CVD石墨烯层(201)、掺杂剂吸收层(301)、转移支撑层(302)的复合结构;/nS4.分离催化衬底(101),得到CVD石墨烯层(201)、掺杂剂吸收层(301)、转移支撑层(302)的复合结构;/nS5.将步骤S4得到的CVD石墨烯层(201)、掺杂剂吸收层(301)、转移支撑层(302)的复合结构旋转180°放置到目标基底(401)上,得到CVD石墨烯层(201)、掺杂剂吸收层(301)、转移支撑层(302)、目标基底(401)的复合结构;/nS6.将步骤S5得到CVD石墨烯层(201)、掺杂剂吸收层(301)、转移支撑层(302)、目标基底(401)的复合结构浸泡于掺杂剂水溶液中;/nS7.将经过步骤S6处理过的CVD石墨烯层(201)、掺杂剂吸收层(301)、转移支撑层(302)、目标基底(401)的复合结构清洗吹干;/n所述步骤S2中的掺杂剂吸收层(301)为有机聚合物层,所述掺杂剂吸收层(301)包括亲水性侧基或亲水主链结构,使得有机层本身能够被水溶胀;所述亲水性侧基包括羟基、羧基、酰胺基、酰马琳基;所述亲水主链为聚环氧乙烷;/n步骤S3中所述转移支撑层(302)材料是主链具有疏水芳环结构的聚合物,所述聚合物为聚对二甲苯、聚3-氯对二甲苯、聚2,5-二氯对二甲苯或聚氟代对二甲苯或者它们任意2-4种的共聚物。/n
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