[发明专利]大面积CVD石墨烯掺杂转移方法

权利要求书

1.大面积CVD石墨烯掺杂转移方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1.在催化衬底(101)上生成通过化学键链接的具有二维连续结构的CVD石墨烯层(201)，得到催化衬底(101)、CVD石墨烯层(201)的复合结构；

S2.在步骤S1所述CVD石墨烯层(201)上形成掺杂剂吸收层(301)，得到催化衬底(101)、CVD石墨烯层(201)、掺杂剂吸收层(301)的复合结构；

S3.在步骤S2所述掺杂剂吸收层(301)上形成转移支撑层(302)，得到催化衬底(101)、CVD石墨烯层(201)、掺杂剂吸收层(301)、转移支撑层(302)的复合结构；

S4.分离催化衬底(101)，得到CVD石墨烯层(201)、掺杂剂吸收层(301)、转移支撑层(302)的复合结构；

S5.将步骤S4得到的CVD石墨烯层(201)、掺杂剂吸收层(301)、转移支撑层(302)的复合结构旋转180°放置到目标基底(401)上，得到CVD石墨烯层(201)、掺杂剂吸收层(301)、转移支撑层(302)、目标基底(401)的复合结构；

S6.将步骤S5得到CVD石墨烯层(201)、掺杂剂吸收层(301)、转移支撑层(302)、目标基底(401)的复合结构浸泡于掺杂剂水溶液中；

S7.将经过步骤S6处理过的CVD石墨烯层(201)、掺杂剂吸收层(301)、转移支撑层(302)、目标基底(401)的复合结构清洗吹干；

所述步骤S2中的掺杂剂吸收层(301)为有机聚合物层，所述掺杂剂吸收层(301)包括亲水性侧基或亲水主链结构，使得有机层本身能够被水溶胀；所述亲水性侧基包括羟基、羧基、酰胺基、酰马琳基；所述亲水主链为聚环氧乙烷；

步骤S3中所述转移支撑层(302)材料是主链具有疏水芳环结构的聚合物，所述聚合物为聚对二甲苯、聚3-氯对二甲苯、聚2，5-二氯对二甲苯或聚氟代对二甲苯或者它们任意2-4种的共聚物。

2.如权利要求1所述的大面积CVD石墨烯掺杂转移方法，其特征在于：所述的掺杂剂吸收层(301)还具有化学交联结构，交联度为40-60％。

3.如权利要求2所述的大面积CVD石墨烯掺杂转移方法，其特征在于：所述掺杂剂吸收层(301)在水溶液中的饱和溶胀度为1-10％。

4.如权利要求3所述的大面积CVD石墨烯掺杂转移方法，其特征在于：所述掺杂剂吸收层(301)厚度为0.1-3μm。

5.如权利要求4所述的大面积CVD石墨烯掺杂转移方法，其特征在于：所述掺杂剂吸收层(301)主要成分为水性聚合物和交联剂。

6.如权利要求1所述的大面积CVD石墨烯掺杂转移方法，其特征在于：步骤S3中所述转移支撑层(302)形成方法为低温化学气相沉积法。

7.如权利要求1所述的大面积CVD石墨烯掺杂转移方法，其特征在于：步骤S3中所述转移支撑层(302)沉积厚度为0.5-5μm；所述步骤S3中的转移支撑层(302)的水汽透过率≤1g/m²·day。

8.如权利要求1所述的大面积CVD石墨烯掺杂转移方法，其特征在于：步骤S5中所述掺杂剂吸收层(301)在掺杂剂水溶液中的溶胀度为0.1-1％。