[发明专利]适用于离子注入工艺套刻精度的评估方法有效
| 申请号： | 201711461652.5 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108198765B | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 许箭;王艳云;毛智彪;杨正凯 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种适用于离子注入工艺套刻精度的评估方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底中具有前层辅助图形；于所述半导体衬底表面形成覆盖层；刻蚀部分所述覆盖层，暴露出所述前层辅助图形；于所述半导体衬底表面形成当层辅助图形，且所述当层辅助图形暴露出所述前层辅助图形；采用多种方法对所述当层辅助图形与所述前层辅助图形的套刻精度进行评估；测量不同方向上所述当层辅助图形与所述前层辅助图形的套刻精度；分别将多种方法评估得到的套刻精度与测量得到的套刻精度进行线性拟合，获得各自的线性拟合斜率及线性相关系数，确定与测量得到的套刻精度最接近的评估方法为最佳评估方法。本发明中，能够准确的评估不同套刻精度量测方法。 | ||
| 搜索关键词： | 适用于 离子 注入 工艺 精度 评估 方法 | ||
【主权项】：
1.一种适用于离子注入工艺套刻精度的评估方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底中具有前层辅助图形；于所述半导体衬底表面形成覆盖层；刻蚀部分所述覆盖层，暴露出所述前层辅助图形；于所述半导体衬底表面形成当层辅助图形，且所述当层辅助图形暴露出所述前层辅助图形；采用多种方法对所述当层辅助图形与所述前层辅助图形的套刻精度进行评估；测量不同方向上所述当层辅助图形与所述前层辅助图形的套刻精度；分别将多种方法评估得到的套刻精度与测量得到的套刻精度进行线性拟合，获得各自的线性拟合斜率及线性相关系数，确定与测量得到的套刻精度最接近的评估方法为最佳评估方法。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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