[发明专利]抗混叠成像元件、光学式传感器及电子设备在审
| 申请号： | 201711451539.9 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN108565270A | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 林峰 | 申请（专利权）人： | 深圳信炜科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;G02B6/06;G06K9/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518055 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开一种抗混叠成像元件、光学式传感器以及电子设备。所述抗混叠成像元件包括多个光传输纤维，所述光传输纤维包括透光体以及位于所述透光体外周的非透光层。所述光学式传感器包括感光单元以及位于感光单元上的抗混叠成像元件。所述电子设备包括所述光学式传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 光学式传感器 成像元件 抗混叠 电子设备 光传输纤维 感光单元 透光体 非透光层 外周 | ||
【主权项】：
1.一种抗混叠成像元件，其特征在于：包括多个光传输纤维，所述光传输纤维包括透光体以及位于所述透光体外周的非透光层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
