[发明专利]一种半导体器件的静电防护方法及半导体器件有效
| 申请号： | 201711445548.7 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN108321156B | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 韩广涛;陆阳;周逊伟 | 申请（专利权）人： | 杰华特微电子(杭州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的静电防护方法及半导体器件，在衬底上形成P型阱区域，在所述P型阱中通过N+注入形成第一有源区，所述第一有源区引出形成源端；在所述P型阱区域中通过P+分段注入形成多个第二有源区，所述第二有源区引出形成体端。所述第二有源区位于所述第一有源区内，所述源端的引出在所述体端引出之后。采用本发明，减小体端引出电阻，增大源端引出电阻，从而抑制寄生NPN开启，半导体器件的ESD防护能力得到较大提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 静电 防护 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的静电防护方法，包括以下步骤：在衬底上形成P型阱区域，在所述P型阱中通过N+注入形成第一有源区，所述第一有源区引出形成源端；在所述P型阱区域中通过P+分段注入，形成多个第二有源区，或者，在所述P型阱区域中通过P+宽窄交替注入，形成一个第二有源区；所述第二有源区引出形成体端；所述第二有源区位于所述第一有源区内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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