[发明专利]一种晶圆的预处理方法及光刻方法有效
| 申请号： | 201711442776.9 | 申请日： | 2017-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN109962026B | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 王辉;张燕 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/027;G03F7/16 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 汪洋;高伟 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶圆的预处理方法及光刻方法，所述预处理方法包括：提供待预处理的晶圆；将晶圆置于温度设置在预设反应温度且具有预设真空值的密闭腔体内；将具有预设流量值的氮气加压的雾状增黏剂喷向所述晶圆的上表面，使得增黏剂和晶圆表面的羟基发生反应以除去水汽和亲水键结构，其中，在对晶圆进行预处理的过程中，所述预设流量值的范围为2L/min‐5L/min。采用本发明的方法，由于在对晶圆进行预处理的过程中，所述预设流量值的范围为2L/min‐5L/min，在该范围中能够实现光刻接触角的最大值，因此，直接通过晶圆的预处理方法就可以解决光刻胶漂移的问题，不需要增加额外的步骤，不会影响产能和周期时间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 预处理 方法 光刻 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆的预处理方法，用于减少晶圆中心区域发生光刻胶偏移，其特征在于，包括以下步骤：提供待预处理的晶圆；将晶圆置于温度设置在预设反应温度且具有预设真空值的密闭腔体内；将具有预设流量值的氮气加压的雾状增黏剂喷向所述晶圆的上表面，使得所述增黏剂和所述晶圆表面的羟基发生反应以除去水汽和亲水键结构，其中，在对所述晶圆进行预处理的过程中，所述预设流量值的范围为2L/min‐5L/min。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
