[发明专利]恒流器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201711442225.2 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN108155225B | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 乔明;肖家木;赖春兰;方冬;李路;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/06;H01L27/082 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢;葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种恒流器件及其制造方法，包括元胞区和终端区两个部分，元胞区包括多个结构相同并依次连接的元胞，每个元胞包括P型掺杂衬底、N型倒掺杂阱区、扩散P型阱区，终端区包括N型倒掺杂阱区外侧的P型掺杂外延区，本发明恒流器件在P型衬底有源区注入与衬底掺杂类型相反的半导体材料，再通过外延和推阱使得有源区上下对通，使得倒掺杂阱与正掺杂阱相连，如此器件有源区与终端区自然形成PN结隔离，从而避免了衬底PN结边缘缺陷所导致的反向不耐压问题，本发明恒流器件为双极型器件，相比单极型器件，本发明恒流器件有更大的电流密度，可节省芯片面积；且采用双沟道设计，使器件有较强的恒流能力，且恒流时的电流值更加稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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