[发明专利]具有源极场板和非交叠栅极导板层的晶体管在审
| 申请号： | 201711441944.2 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN108269844A | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | H·友松;S·彭德哈卡尔;H·山崎 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 徐东升;赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请涉及具有源极场板和非交叠栅极导板层的晶体管。晶体管器件(100)包括从源极导板层(102)和/或源极接触层(132)延伸的场板(108)。该场板可以与栅极导板层共面和/或在栅极导板层下面。栅极导板层(104)被栅极桥(135)排布成远离栅极金属层(134)正上方的区域，使得场板能够在栅极金属层正上方延伸而不被栅极导板层干扰。在与源极导板层或源极接触层共面的情况下，场板靠近沟道区域(124)定位，这有助于减小其寄生电容。通过使金属栅极层和场板竖直地交叠，所公开的HEMT器件可以实现显著的尺寸效率，而无需额外的布线。 | ||
| 搜索关键词： | 导板 场板 栅极金属层 源极场板 源极接触 非交叠 晶体管 源极 金属栅极层 晶体管器件 沟道区域 寄生电容 延伸 布线 减小 交叠 排布 竖直 申请 | ||
【主权项】：
1.一种器件，其包括：半导体衬底，其具有限定沟道区域的顶表面；源极接触层，其接触所述顶表面；栅极层，其在所述沟道区域上方；源极场板，其沿着所述沟道区域的第一维度并在所述栅极层上方从所述源极接触层延伸；以及栅极导板层，其沿着偏离所述第一维度的所述沟道区域的第二维度与所述源极场板共同延伸，所述栅极导板层位于所述栅极层上方并且远离所述栅极层。
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