[发明专利]具有源极场板和非交叠栅极导板层的晶体管在审
| 申请号： | 201711441944.2 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN108269844A | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | H·友松;S·彭德哈卡尔;H·山崎 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 徐东升;赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导板 场板 栅极金属层 源极场板 源极接触 非交叠 晶体管 源极 金属栅极层 晶体管器件 沟道区域 寄生电容 延伸 布线 减小 交叠 排布 竖直 申请 | ||
1.一种器件，其包括：
半导体衬底，其具有限定沟道区域的顶表面；
源极接触层，其接触所述顶表面；
栅极层，其在所述沟道区域上方；
源极场板，其沿着所述沟道区域的第一维度并在所述栅极层上方从所述源极接触层延伸；以及
栅极导板层，其沿着偏离所述第一维度的所述沟道区域的第二维度与所述源极场板共同延伸，所述栅极导板层位于所述栅极层上方并且远离所述栅极层。
2.根据权利要求1所述的器件，其进一步包括：
栅极桥，其横跨所述源极接触层并且在所述栅极导板层下方从所述栅极层延伸，所述栅极桥耦合在所述栅极层和所述栅极导板层之间；以及
绝缘层，其定位于所述栅极桥和所述顶表面之间。
3.根据权利要求2所述的器件，其中所述栅极桥和所述栅极层共用具有比所述栅极导板层更高的电阻率的公共金属层。
4.根据权利要求3所述的器件，其中所述公共金属层包括钛钨材料。
5.根据权利要求1所述的器件，其中所述源极场板与所述栅极导板层共面，并且所述源极场板具有比所述源极接触层更低的电阻率。
6.根据权利要求1所述的器件，其中所述源极场板与所述源极接触层共面，并且所述源极场板具有比所述栅极导板层更高的电阻率。
7.根据权利要求1所述的器件，其中所述源极接触层包含铝-铜-钛合金。
8.根据权利要求1所述的器件，其中所述半导体衬底包括由所述源极接触层接触的氮化镓层。
9.根据权利要求1所述的器件，其进一步包括：
第二源极场板，其在所述源极场板上方，并且沿着所述第一维度延伸得比所述源极场板更远离所述源极接触层，并与所述栅极导板层交叠。
10.根据权利要求1所述的器件，其中所述第一维度垂直于所述第二维度。
11.一种晶体管，其包括：
半导体衬底，其具有限定沟道区域的顶表面；
源极接触层，其接触所述沟道区域的第一端；
漏极接触层，其接触所述沟道区域的第二端；
栅极层，其在所述沟道区域上方并且与靠近所述漏极接触层相比更靠近所述源极接触层；
源极场板，其沿着所述沟道区域的第一维度并在所述栅极层上方从所述源极接触层延伸；
栅极导板层，其沿着所述沟道区域的垂直于所述第一维度的第二维度与所述源极场板共同延伸，所述栅极导板层位于所述栅极层上方并且远离所述栅极层；以及
栅极桥，其横跨所述源极接触层并且在所述栅极导板层下方从所述栅极层延伸，所述栅极桥耦合在所述栅极层和所述栅极导板层之间。
12.根据权利要求11所述的晶体管，其中所述源极接触层沿着所述第一维度内插在所述栅极层与所述栅极导板层之间。
13.根据权利要求11所述的器件，其中所述源极场板与所述栅极导板层共面，并且所述源极场板具有比所述源极接触层更低的电阻率。
14.根据权利要求11所述的器件，其中所述源极场板与所述源极接触层共面，并且所述源极场板具有比所述栅极导板层更高的电阻率。
15.根据权利要求11所述的晶体管，其进一步包括：
第二源极场板，其在所述源极场板上方，并且与沿着所述第一维度延伸得比所述源极场板更远离所述源极接触层，并与所述栅极导板层交叠。
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