[发明专利]一种二次补偿低温漂的基准电流源

摘要

本发明实公开了一种二次补偿低温漂的基准电流源，具体的，包括第一补偿电路和第二补偿电路，在第一补偿电路中利用第一PTAT电流产生电路和第一CTAT电流产生电路进行一次补偿后，得到基准电流的温度特性曲线为下凹的抛物线；同时，在第二补偿电路中利用第二PTAT电流产生电路和第二CTAT电流产生电路进行一次补偿后，得到基准电流的温度特性曲线为上凸的抛物线。然后，将上述第一补偿电路和第二补偿电路所产生的两种相反变化趋势的基准电流相加，进行二次曲率补偿，使该基准电流源的输出的基准电流的温度特性曲线具有两个极值，进而获得低温漂系数的基准电流源。

主权项

一种二次补偿低温漂的基准电流源，其特征在于，包括温度特性曲线为下凹抛物线的第一补偿电路、温度特性曲线为上凸抛物线的第二补偿电路，其中：所述第一补偿电路包括第一PTAT电流产生电路和第一CTAT电流产生电路，所述第一PTAT电流产生电路的输出端与PMOS管M4的栅极连接、第一CTAT电流产生电路的输出端与PMOS管M5的栅极连接，所述PMOS管M4和PMOS管M5的源极均与所述基准电流源的电压源连接；所述第二补偿电路包括第二PTAT电流产生电路和第二CTAT电流产生电路，所述第二PTAT电流产生电路的输出端与PMOS管M15的栅极连接、第二CTAT电流产生电路的输出端与PMOS管M16的栅极连接，所述PMOS管M15和PMOS管M16的源极均与所述基准电流源的电压源连接；所述PMOS管M4、PMOS管M5、PMOS管M15和PMOS管M16的漏极均与NMOS管M22的漏极连接，所述NMOS管M22的栅极与其漏极连接，所述NMOS管M22的源极接地。