[发明专利]一种二次补偿低温漂的基准电流源

权利要求书

1.一种二次补偿低温漂的基准电流源，其特征在于，包括温度特性曲线为下凹抛物线的第一补偿电路、温度特性曲线为上凸抛物线的第二补偿电路，其中：

所述第一补偿电路包括第一PTAT电流产生电路和第一CTAT电流产生电路，所述第一PTAT电流产生电路的输出端与PMOS管M4的栅极连接、第一CTAT电流产生电路的输出端与PMOS管M5的栅极连接，所述PMOS管M4和PMOS管M5的源极均与所述基准电流源的电压源连接；

所述第二补偿电路包括第二PTAT电流产生电路和第二CTAT电流产生电路，所述第二PTAT电流产生电路的输出端与PMOS管M15的栅极连接、第二CTAT电流产生电路的输出端与PMOS管M16的栅极连接，所述PMOS管M15和PMOS管M16的源极均与所述基准电流源的电压源连接；

所述PMOS管M4、PMOS管M5、PMOS管M15和PMOS管M16的漏极均与NMOS管M22的漏极连接，所述NMOS管M22的栅极与其漏极连接，所述NMOS管M22的源极接地。

2.根据权利要求1所述的基准电流源，其特征在于，所述第一PTAT电流产生电路包括PMOS管M0、PMOS管M1、NMOS管M2、NMOS管M3以及第一电阻R0，其中：

所述PMOS管M0的源极和所述PMOS管M1的源极均与所述电压源连接，所述PMOS管M0的栅极和所述PMOS管M1的栅极均与所述PMOS管M4的栅极连接，所述PMOS管M0的漏极分别与所述NMOS管M2的漏极和所述PMOS管M4的栅极连接，所述PMOS管M1的漏极分别与所述NMOS管M2的栅极、所述NMOS管M3的栅极和所述NMOS管M3的漏极连接；

所述NMOS管M2的源极与所述第一电阻R0的一端连接，所述第一电阻R0的另一端接地，所述NMOS管M3的源极接地。

3.根据权利要求1或2所述的基准电流源，其特征在于，所述第一CTAT电流产生电路包括PMOS管M6、PMOS管M7、NMOS管M8、NMOS管M9以及NMOS管M10，其中：

所述PMOS管M6的源极和所述PMOS管M7的源极均与所述电压源连接，所述PMOS管M6的栅极和所述PMOS管M7的栅极均与所述PMOS管M5的栅极连接，所述PMOS管M6的漏极与所述NMOS管M8的漏极连接，所述PMOS管M7的漏极分别与所述PMOS管M5的栅极和所述NMOS管M9的漏极连接；

所述NMOS管M8的栅极分别与其漏极和所述NMOS管M9的栅极连接，所述NMOS管M8的源极接地，所述NMOS管M9的源极与所述NMOS管M10的漏极连接；

所述NMOS管M10的栅极分别与所述PMOS管M5的栅极、所述PMOS管M6的栅极、所述PMOS管M7的栅极以及所述PMOS管M7的漏极连接，所述NMOS管M10的源极接地。

4.根据权利要求1所述的基准电流源，其特征在于，所述第二PTAT电流产生电路包括PMOS管M11、PMOS管M12、NMOS管M13、NMOS管M14以及第二电阻R1，其中：

所述PMOS管M11的源极和所述PMOS管M12的源极均与所述电压源连接，所述PMOS管M11的栅极和所述PMOS管M12的栅极均与所述PMOS管M15的栅极连接，所述PMOS管M11的漏极分别与所述NMOS管M13的漏极和所述PMOS管M15的栅极连接，所述PMOS管M12的漏极分别与所述NMOS管M13的栅极、所述NMOS管M14的栅极和所述NMOS管M14的漏极连接；

所述NMOS管M13的源极与所述第二电阻R1的一端连接，所述第二电阻R1的另一端接地，所述NMOS管M14的源极接地。