[发明专利]发光结构的制造方法与发光装置在审
申请号: | 201711432504.0 | 申请日: | 2017-12-26 |
公开(公告)号: | CN109962023A | 公开(公告)日: | 2019-07-02 |
发明(设计)人: | 周以伦;赵嘉信;沈文维 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L33/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种发光结构的制造方法与发光装置。发光装置包括一电路板、一介层基材、一发光二极管芯片、一第一导电结构、一第二导电结构、一第一虚置导电元件与一第二虚置导电元件。第一导电结构与第二导电结构配置在介层基材中,并电连接在发光二极管芯片与电路板之间。第一虚置导电元件与第二虚置导电元件配置在介层基材上,并分别电连接第一导电结构与第二导电结构。 | ||
搜索关键词: | 导电结构 导电元件 发光装置 基材 发光二极管芯片 电路板 发光结构 电连接 导电元件配置 制造 配置 | ||
【主权项】:
1.一种发光结构的制造方法,其特征在于,包括:形成一测试结构,该测试结构包括:多个发光单元,各具有极性相反的第一电极与第二电极;载体基材;介层基材,在该载体基材与该些发光单元之间;第一导电元件与第二导电元件,形成在该介层基材上;多个第一导电结构与多个第二导电结构,形成在该介层基材中,该些第一导电结构电连接在该第一导电元件与该些发光单元的该些第一电极之间,该些第二导电结构电连接在该第二导电元件与该些发光单元的该些第二电极之间;及多个第一接触垫与多个第二接触垫,在该些发光单元的外侧,该些第一接触垫通过该些第一导电结构与该第一导电元件电连接至该些发光单元的该些第一电极,该些第二接触垫通过该些第二导电结构与该第二导电元件电连接至该些发光单元的该些第二电极;及一测试步骤,通过该些第一接触垫与该些第二接触垫提供电信号至该些发光单元进行电性测试。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于财团法人工业技术研究院,未经财团法人工业技术研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711432504.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种封装辅助装置
- 下一篇:一种计算机电子件加工设备
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造