[发明专利]动态随机存取存储器及其操作方法有效

专利信息
申请号: 201711432063.4 申请日: 2017-12-26
公开(公告)号: CN109390010B 公开(公告)日: 2020-10-02
发明(设计)人: 李忠勋;刘献文 申请(专利权)人: 南亚科技股份有限公司
主分类号: G11C11/406 分类号: G11C11/406;G06F12/02
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 李昕巍;章侃铱
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 本公开提供一种动态随机存取存储器(dynamic random access memory,DRAM)及其操作方法。该DRAM包括一普通区、一热区、一控制元件。该普通区包括多个记忆胞,并可受控于一普通字元线。该热区包括多个记忆胞,并可受控于一热字元线。该控制元件在满足一条件以前以及当该普通字元线已经被频繁存取时,复制与该普通字元线有关的该等记忆胞储存的一数据为一复制数据,并且将该复制数据储存至与该热字元线有关的该等记忆胞中;在满足该条件以前,存取该普通字元线;以及只有在符合该条件时,不再存取该普通字元线。该条件包括该普通字元线的一存取频率达到一临界频率。
搜索关键词: 动态 随机存取存储器 及其 操作方法
【主权项】:
1.一种动态随机存取存储器,包括:一普通区,包括多个记忆胞,可受控于一普通字元线;一热区,包括多个记忆胞,可受控于一热字元线;以及一控制元件,经配置以在满足一条件以前以及当该普通字元线已经被频繁存取时,复制与该普通字元线有关的该等记忆胞储存的一数据为一复制数据,并且将该复制数据储存至与该热字元线有关的该等记忆胞中;在满足该条件以前,该控制元件经配置以存取该普通字元线;以及只有在符合该条件时,该控制元件经配置以不再存取该普通字元线,其中该条件包括该普通字元线的一存取频率达到一临界频率。
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