[发明专利]一种AgCuNiV合金材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201711431543.9 | 申请日： | 2017-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN108149057B | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | 蔡正旭;章明溪;黄小凯;金凯;姚映君;祁宇;付晓玄;王峰 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属与稀土应用研究所 |
| 主分类号： | C22C5/08 | 分类号： | C22C5/08;C22C1/04 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘徐红 |
| 地址： | 100012*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种AgCuNiV合金材料及其制备方法，属于粉末冶金技术领域。AgCuNiV合金材料的重量百分比组成为：Ag 66.5％‑89.1％，Cu 9.5％‑27.72％，Ni 0％‑1.98％，V 1.0％‑5.0％。通过制备AgCuNi合金粉，然后将AgCuNi合金粉和V粉混合后采用放电等离子烧结制备得到AgCuNiV合金材料。本发明解决了V很难加入到合金中并且在合金中产生宏观偏析，化学成分不均匀、表面有黑斑和气孔等问题。本发明采用放电等离子烧结技术制备AgCuNiV合金，组织细小均匀，无偏析，可以有效保证雷达电子器件中电接触材料的可靠性，获得成分均匀、表面无缺陷的电接触材料；同时制备工艺简单，生产流程短。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 合金材料 合金 合金粉 放电等离子烧结技术 放电等离子烧结 黑斑 粉末冶金技术 电接触材料 重量百分比 电子器件 宏观偏析 接触材料 生产流程 制备工艺 不均匀 偏析 雷达 保证 | ||
【主权项】：
1.一种AgCuNiV合金材料的制备方法，其特征在于：首先制备AgCuNi合金粉，然后将AgCuNi合金粉和V粉混合后采用放电等离子烧结制备得到AgCuNiV合金材料。
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