[发明专利]一种ITO牢固的LED芯片及其制造方法在审
| 申请号： | 201711399168.4 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN108075022A | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 白继锋;张银桥;潘彬 | 申请（专利权）人： | 南昌凯迅光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330100 江西省南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供一种ITO牢固的LED芯片及其制造方法，包括GaAs衬底一侧依次从下往上设置缓冲层、n‑AIGaInP限制层、MQW多量子阱有源层、p‑AIGaInP限制层和p‑GaP窗口层；p‑GaP窗口层上制作ITO薄膜层，ITO薄膜层上制作金属电极层，GaAs衬底另一侧设置n电极层；金属电极层一部分连接在p‑GaP窗口层上，一部分连接在ITO薄膜层上。本发明公开一种ITO牢固的LED芯片及其制造方法，金属电极层同时与ITO薄膜层和粗糙化的p‑GaP窗口层相连接，避免焊线测试时造成ITO薄膜层脱落，提高整个金属电极层的附着性和完整性，确保发光器件工作电压稳定，提高产品可靠性，提升产品质量和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 金属电极层 窗口层 限制层 衬底 制造 多量子阱有源层 产品可靠性 发光器件 工作电压 粗糙化 附着性 缓冲层 焊线 良率 制作 测试 | ||
【主权项】：
1.一种ITO牢固的LED芯片，其特征在于：包括在GaAs衬底(100)一侧依次从下往上设置缓冲层(101)、n-AIGaInP限制层(102)、MQW多量子阱有源层(103)、p-AIGaInP限制层(104)和p-GaP窗口层(105)；所述p-GaP窗口层(105)上制作ITO薄膜层(106)，所述ITO薄膜层(106)上制作金属电极层(107)，所述GaAs衬底(100)另一侧设置n电极层(201)；所述金属电极层(107)一部分连接在p-GaP窗口层(105)上，一部分连接在ITO薄膜层(106)上。
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