[发明专利]一种薄膜温度传感器芯片及其制造方法在审
| 申请号： | 201711398319.4 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN108168723A | 公开（公告）日： | 2018-06-15 |
| 发明（设计）人： | 雷念程 | 申请（专利权）人： | 雷念程 |
| 主分类号： | G01K7/18 | 分类号： | G01K7/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 102101 北京市延庆区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜温度传感器芯片及其制造方法，制造方法包括准备基片材料、加工基片材料、将基片退火处理、研磨抛光、在原子薄膜沉积系统中沉积原子级的过渡层、绝缘层、薄膜电阻层、接触层后光刻形成温度敏感电阻；进行二次保护膜制备与光刻、切割分离成敏感单元、引出信号线、形成薄膜温度传感器芯片。由于基片材料采用了大面积整块材料加工，生产效率高，产品成本低，一致性好，产品性能优良。 1 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜温度传感器 基片材料 芯片 光刻 绝缘层 制造 薄膜沉积系统 温度敏感电阻 薄膜电阻层 保护膜制备 引出信号线 产品成本 产品性能 敏感单元 切割分离 生产效率 退火处理 研磨抛光 一致性好 整块材料 过渡层 接触层 原子级 沉积 加工 | ||
S1.准备整块基片材料；
S2.采用机械加工的方法或者激光切割的方法，加工出具有定位边(12)的基片材料(1)，所述基片材料(1)的大小是4英寸、6英寸、8英寸、12英寸中的一种；
S3.利用机械研磨抛光方法，将所述基片材料(1)的上表面(11)进行研磨抛光，然后清洗烘干备用；
S4.将烘干后的基片材料(1)放入具有二个共溅射离子加速器、一个辅助清洗离子加速器的原子薄膜沉积系统的真空腔室中；
S5.启动原子薄膜沉积系统，将真空腔室抽真空，启动所述辅助清洗离子加速器对基片材料(1)的上表面(11)进行离子束轰击清洗，使所述上表面(11)抛光，去除上表面(11)上的吸附杂物，使上表面(11)达到原子级清洁度，同时增强上表面(11)表面原子能量；
S6.启动二个共溅射离子加速器，在所述基片材料(1)的上表面(11)上依次共溅射沉积原子级的过渡层(13)、绝缘层(14)、薄膜电阻层(15)、接触层(16)；
S7.将沉积好过渡层(13)、绝缘层(14)、薄膜电阻层(15)、接触层(16)的所述基片材料(1)进行光刻，形成薄膜电阻(15‑1)和二个接触层焊盘(16‑1)；
S8.将光刻好的基片材料(1)放入具有二个共溅射离子加速器、一个辅助清洗离子加速器的原子薄膜沉积系统的真空腔室中；
S9.启动原子薄膜沉积系统，将真空腔室抽真空，启动二个共溅射离子加速器，在所述基片材料(1)的上表面(11)上共溅射沉积原子级的保护层(17)；
S10.将沉积好保护层(17)的所述基片材料(1)进行光刻，二个接触层焊盘(16‑1)裸露，薄膜电阻(15‑1)被保护层(17)覆盖；
S11.将光刻好的基片材料(1)放入高温炉中，进行热处理；
S12.将热处理好的基片材料(1)切割分离成敏感单元(2)；
S13.在所述敏感单元(2)的二个接触层焊盘(16‑1)上引出信号线。
2.根据权利要求1所述的薄膜温度传感器芯片，其特征在于，采用权利要求1所述的薄膜温度传感器芯片制造方法制得。该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于雷念程，未经雷念程许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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