[发明专利]一种三明治夹心型光刻胶牺牲层的制备方法有效
| 申请号： | 201711391848.1 | 申请日： | 2017-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN108100990B | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 陈雨;党元兰;刘晓兰;庄治学;梁广华;徐亚新 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十四研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 河北东尚律师事务所 13124 | 代理人： | 王文庆 |
| 地址： | 050081 河北省石家庄*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了RF MEMS器件制造领域的一种三明治夹心型光刻胶牺牲层的制备方法，主要包括下层光刻胶的制备、生长阻挡层、上层光刻胶的制备、Cu层的刻蚀和热处理5个步骤。此方法通过Cu阻挡层的引入，避免了两层光刻胶之间互溶的问题，制备的牺牲层具有释放简单、凸点高度控制精准、设备依赖度低、可制作复杂图形等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 光刻胶 三明治 光刻胶牺牲层 夹心型 阻挡层 热处理 复杂图形 高度控制 牺牲层 依赖度 互溶 刻蚀 两层 凸点 下层 上层 生长 释放 引入 制作 制造 | ||
【主权项】：
1.一种三明治夹心型光刻胶牺牲层的制备方法，其特征在于包括以下步骤：①下层正胶制备：在下层电路上旋涂第一层正性光刻胶，并通过曝光、显影的方式完成图形化，图形化后，对本层光刻胶进行热处理；②溅射阻挡层：在第一层正性光刻胶上通过常温溅射的手段生长Cu层作为阻挡层；③上层正胶制备：在Cu层上旋涂第二层正性光刻胶，并通过曝光、显影的方式完成图形化，图形化后，对整个产品进行热处理；④腐蚀Cu层：以第二层正性光刻胶为保护层进行Cu层的腐蚀，将悬浮结构及凸点结构根部的Cu层去掉；⑤热处理：对整个产品进行热处理；完成三明治夹心型光刻胶牺牲层的制备。
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