[发明专利]一种多孔掺硼金刚石电极及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201711387078.3 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN108193229A | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 唐永炳;谷继腾;杨扬;李子豪;张文军 | 申请（专利权）人： | 深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | C25B11/06 | 分类号： | C25B11/06;C25B1/04;B01J21/18 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种多孔掺硼金刚石电极，包括网状基体，设置于所述网状基体的一侧或两侧表面的掺硼金刚石薄膜层，以及生长于所述掺硼金刚石薄膜层表面的多根二氧化钛纳米管。该多孔掺硼金刚石电极具有较大的可见光接收面积，对光源的利用效率高；具有很小的自身内阻，降低了光电催化过程中电流的消耗；含有多个P‑N异质结，大大降低了自由电子和空穴之间再结合的可能性，具有极高的光电催化效率；具备高析氧电位和多个催化活性位点，具有很强的催化活性。本发明还提供了一种孔掺硼金刚石电极的制备方法和应用。 | ||
| 搜索关键词： | 掺硼金刚石电极 掺硼金刚石薄膜 制备方法和应用 光电催化 网状基体 二氧化钛纳米管 空穴 催化活性位点 高析氧电位 可见光接收 催化活性 自由电子 异质结 内阻 种孔 光源 消耗 生长 | ||
【主权项】：
1.一种多孔掺硼金刚石电极，其特征在于，包括网状基体，设置于所述网状基体的一侧或两侧表面的掺硼金刚石薄膜层，以及生长于所述掺硼金刚石薄膜层表面的多根二氧化钛纳米管。
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