[发明专利]一种镀层均匀稳定的碳化硅粉体表面化学镀镍的方法在审

专利信息
申请号: 201711383356.8 申请日: 2018-02-24
公开(公告)号: CN108118315A 公开(公告)日: 2018-06-05
发明(设计)人: 杨会静 申请(专利权)人: 唐山师范学院
主分类号: C23C18/36 分类号: C23C18/36;C23C18/18
代理公司: 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 代理人: 李冉
地址: 063020 河北*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 发明公开了一种镀层均匀稳定的碳化硅粉体表面化学镀镍的方法,对施镀工艺进行改进,在前处理过程及施镀过程中引入超声辅助,通过超声波的机械作用和空化作用将液体中的粉体颗粒进行分散和解团聚,从而实现了粉体在分散剂中均匀分散。并且为使镀层更加均匀稳定的沉积在粉体颗粒表面,在施镀时缓慢的加入还原剂,可以得到粉体分散性好、镀层均匀稳定碳化硅‑镍核壳结构材料。
搜索关键词: 镀层 施镀 表面化学镀 碳化硅粉体 粉体颗粒 粉体分散性 超声辅助 机械作用 超声波 分散剂 还原剂 壳结构 前处理 碳化硅 粉体 空化 镍核 沉积 团聚 引入 改进
【主权项】:
一种镀层均匀稳定的碳化硅粉体表面化学镀镍的方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)氧化:将碳化硅粉体高温灼烧;(2)亲水化:将步骤(1)中氧化处理过的碳化硅粉体置于将氢氟酸溶于盐酸溶液中配制成的亲水化液中,搅拌,超声处理;抽滤,洗涤至中性;(3)敏化:将步骤(2)中的亲水化处理过的碳化硅粉体置于将氯化亚锡溶于盐酸溶液中配制成的敏化液中,搅拌,超声处理;抽滤,洗涤至中性;(4)活化:将步骤(3)中的敏化处理过的碳化硅粉体置于将氯化钯溶于盐酸溶液配制成的活化液中,搅拌,超声处理;抽滤,洗涤至中性;(5)施镀:所述施镀步骤包括(5.1),将硫酸镍、柠檬酸三钠、氯化铵按重量比例1:(4~5):(0.2~0.3)混合,加水配制成镀液,并用氨水调节为pH值为8.5~9.5;配置次亚磷酸钠水溶液作为还原剂,备用;(5.2),将步骤(4)中活化处理过的碳化硅置于(5.1)的镀液中,并将镀液置于超声波清洗机水浴中,并搅拌进行超声分散,待镀液温度升至45~50℃,开始向其中滴加还原剂,并给予持续的机械搅拌和间断的超声处理;(5.3),待反应结束后,将产物抽滤洗涤、烘干、研磨,即得表面镀镍的微米碳化硅粉体。
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