[发明专利]一种硅碳负极材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201711381360.0 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN108063233B | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 韩雪;臧文平;赵夕;吕海龙;窦文鑫;李琳慈;殷正娥 | 申请（专利权）人： | 安徽锦美碳材科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/583 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 汤在彦 |
| 地址： | 242000 安徽省宣城市宣城*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种硅碳负极材料及其制备方法，具体涉及一种简单的使用热解碳源包覆微米级SiO |
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| 搜索关键词： | 一种 负极 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅碳负极材料及其制备方法，具体方法如下：1）将一定粒度的石墨与3-15%的微米级SiOx 在球化机中均匀混合30min，得到微米级SiOx /石墨混合物；2）将微米级SiOx /石墨混合物中加入10-30%液化沥青，融合球磨15-60min；3）将2）中混合物加热至120-260℃和600℃，惰性氛围下完成包覆和初步碳化；4）在1000-1100℃、惰性氛围下高温碳化4-6h，得到硅碳负极材料。
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