[发明专利]基于磁致压电势的晶体管和磁传感器有效
| 申请号： | 201711377620.7 | 申请日： | 2017-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN109244132B | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 翟俊宜;刘玉东 | 申请（专利权）人： | 北京纳米能源与系统研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;G01R33/09 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 陆文超;肖冰滨 |
| 地址： | 101400 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于磁致压电势晶体管，包括基底和设置在所述基底上的铁电晶体管，其中，所述基底由磁致伸缩材料构成，所述铁电晶体管中包括压电层。本发明的晶体管主要由三种不同功能材料磁致伸缩层基底材料、压电层材料和半导体层材料复合构成，并且垂直堆垛而成。本发明的基于磁致压电势晶体管还可以作为磁传感器。当该传感器置于磁场中，磁致伸缩材料产生应变并传给铁电晶体管中的压电材料，使压电材料产生压电势；该压电势可以作为栅电压，调节半导体内载流子浓度，使半导体内电阻发生变化，如果在半导体的源漏两端加电压，会使电流在施加磁场后发生变化。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 压电 晶体管 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种基于磁致压电势晶体管，其特征在于，包括基底和设置在所述基底上的铁电晶体管，其中，所述基底由磁致伸缩材料构成；所述铁电晶体管中包括压电层。
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