[发明专利]基于磁致压电势的晶体管和磁传感器有效
| 申请号： | 201711377620.7 | 申请日： | 2017-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN109244132B | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 翟俊宜;刘玉东 | 申请（专利权）人： | 北京纳米能源与系统研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;G01R33/09 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 陆文超;肖冰滨 |
| 地址： | 101400 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 压电 晶体管 传感器 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于磁致压电势晶体管，其特征在于，包括基底和设置在所述基底上的铁电晶体管，其中，所述基底由磁致伸缩材料构成；所述铁电晶体管中包括压电层；
所述铁电晶体管包括层叠设置的下列各层：设置在所述基底上的下电极层、压电层、上电极层、绝缘层和半导体层，以及设置在所述半导体层上的源极和漏极。
2.根据权利要求1中所述的基于磁致压电势晶体管，其特征在于，所述半导体层的材料为氮化镓或硅的薄膜或块体；
或者，所述半导体层的材料为单层分子层二维半导体材料，或者少于100层分子层的二维半导体材料。
3.根据权利要求2中所述的基于磁致压电势晶体管，其特征在于，所述二维半导体材料包括二硫化钼、二硒化钨或石墨烯。
4.根据权利要求1中所述的基于磁致压电势晶体管，其特征在于，所述压电层的材料为石英、锆钛酸铅、钛酸钡或铌镁酸铅。
5.根据权利要求1所述的基于磁致压电势晶体管，其特征在于，所述基底的材料是铽镝铁、镍膜或金属玻璃。
6.一种磁传感器，其特征在于，包括权利要求1-5任一项中所述的基于磁致压电势晶体管。
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