[发明专利]半导体器件及制造其的方法在审
| 申请号： | 201711372376.5 | 申请日： | 2017-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN108206156A | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | 尹灿植;李基硕;郑基旭;金桐晤;李昊仁;朴济民;朴硕汉;洪镇宇;张燽娟;丁贤玉;徐有辰 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 可以提供一种半导体器件，其包括具有第一沟槽的衬底、在第一沟槽的内侧面上的第一绝缘衬垫、以及在第一子沟槽的内侧面上的第二绝缘衬垫，第一子沟槽由第一沟槽中的第一绝缘衬垫限定，在垂直于衬底的顶表面的方向上邻接第一子沟槽的内侧面的第二绝缘衬垫的顶部水平不同于第一沟槽外部的衬底的顶表面。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘衬垫 衬底 半导体器件 顶表面 邻接 垂直 外部 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底，其包括第一沟槽；第一绝缘衬垫，其在所述第一沟槽的内侧面上；以及第二绝缘衬垫，其在第一子沟槽的内侧面上，所述第一子沟槽由所述第一沟槽中的所述第一绝缘衬垫限定，在垂直于所述衬底的顶表面的方向上邻接所述第一子沟槽的所述内侧面的所述第二绝缘衬垫的顶部水平不同于所述衬底的所述顶表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
