[发明专利]一种钝化接触N型太阳能电池及制备方法、组件和系统在审
申请号: | 201711372021.6 | 申请日: | 2017-12-19 |
公开(公告)号: | CN107968127A | 公开(公告)日: | 2018-04-27 |
发明(设计)人: | 林建伟;李灵芝;刘志锋;季根华;刘勇 | 申请(专利权)人: | 泰州中来光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 北京金之桥知识产权代理有限公司11137 | 代理人: | 林建军 |
地址: | 225500 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种钝化接触N型太阳能电池及制备方法、组件和系统。本发明的钝化接触N型太阳能电池,包括N型晶体硅基体,其正表面从内到外依次包括p+掺杂区域、正表面钝化减反膜和正表面主栅和副栅,其背表面从内到外依次包括遂穿氧化层、n+掺杂多晶硅层、背表面钝化膜和背表面电极,背面电极与n+掺杂多晶硅层欧姆接触;正面副栅为铝,其与p+掺杂区域欧姆接触。其有益效果是正面副栅为铝,铝能直接烧穿SiNx且与硅复合率低,无需开槽、节省银浆、开路电压高;采用n+掺杂多晶硅层作为N型太阳能电池的背表面场,为硅基体表面提供优异场钝化效果,少数载流子复合率低,电池开路电压、短路电流和能量转化效率高。 | ||
搜索关键词: | 一种 钝化 接触 太阳能电池 制备 方法 组件 系统 | ||
【主权项】:
一种钝化接触N型太阳能电池,包括N型晶体硅基体,所述N型晶体硅基体的正表面从内到外依次包括p+掺杂区域和正表面钝化减反膜;所述N型晶体硅基体的背表面从内到外依次包括遂穿氧化层、n+掺杂多晶硅层或n+掺杂非晶硅层和背表面钝化膜;其特征在于:所述N型晶体硅基体的背表面还包括与n+掺杂多晶硅层或n+掺杂非晶硅层欧姆接触的背面电极,所述N型晶体硅基体的正表面还包括设置在正表面钝化减反膜上的正面副栅和正面主栅,所述正面副栅采用铝浆印刷,且所述正面副栅与所述p+掺杂区域形成欧姆接触。
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