[发明专利]由p+

摘要

层堆叠的制造方法，层堆叠由p+衬底、p‑层、n‑层和第三层构成，p+衬底具有5*1018‑5*1020N/cm3的掺杂剂浓度和50‑900微米的层厚度且包括GaAs化合物，p‑层具有1014‑1016N/cm3的掺杂剂浓度和0.01‑30微米的层厚度且包括GaAs化合物，n‑层具有1014‑1016N/cm3的掺杂剂浓度，10‑200微米的层厚度且包括GaAs化合物，制造第一和第二部分堆叠且两个部分堆叠的上侧通过晶圆接合材料锁合地连接，第一部分堆叠包括至少p+衬底，第二部分堆叠包括至少n‑层，p‑层通过外延或注入制造，p‑层构成第一或第二部分堆叠的上侧，制造第三层，n‑层在n+衬底上制造。

主权项

1.一种层堆叠的制造方法，所述层堆叠由p+衬底、p‑层、n‑层和第三层构成，其中，‑所述p+衬底具有5*1018‑5*1020N/cm3的掺杂剂浓度和50‑900微米的层厚度并且包括GaAs化合物或者由GaAs化合物构成，‑所述p‑层具有1014‑1016N/cm3的掺杂剂浓度和0.01‑1微米的层厚度并且包括GaAs化合物或者由GaAs化合物构成，‑所述n‑层具有1014‑1016N/cm3的掺杂剂浓度和10‑200微米的层厚度并且包括GaAs化合物或者由GaAs化合物构成，‑制造第一部分堆叠和第二部分堆叠并且使所述第一部分堆叠的上侧与所述第二部分堆叠的上侧通过晶圆接合材料锁合地连接，以便制造所述层堆叠，‑所述第一部分堆叠至少包括所述p+衬底，‑所述第二部分堆叠至少包括所述n‑层，‑通过在所述p+衬底的上侧上的外延或注入或通过在所述n‑层上的外延制造所述p‑层，并且所述p‑层形成所述第一部分堆叠的或所述第二部分堆叠的上侧，‑所述第三层在所述晶圆接合之前或之后制造，‑在第一替代方案中，在所述晶圆接合之后通过磨削至少部分地形成所述第二部分堆叠的n‑衬底制造所述n‑层，或者，在第二替代方案中，在所述晶圆接合之前在n+衬底上制造所述n‑层。